集成电路后摩尔时代的三个特征

开来明道

集成电路后摩尔时代的三个特征

缝补的情 2018-12-07

随着集成电路的工艺制程不断地向着物理极限进军，集成电路的发展已经无法严格按照摩尔定律向前发展，即进入了所谓的后摩尔时代。在后摩尔时代，集成电路工艺主要呈现出以下三个特征：
特征一：特征尺寸仅为名义上的等比缩小，性能提升成为关键
目前，集成电路晶体管的尺寸缩小已经进入了深水区，缩小特征尺寸已经变得越来越困难。到了 22nm 之后，芯片的特征尺寸已经无法按比例缩小了。因此，各大集成电路厂商也就没有再追求一定要缩小，反而是采用了更加优化的晶体管设计，配合上多核多线程等一系列架构设计技术，继续为消费者提供相当于更新换代了的产品性能。不知大家注意到没有：2005 年以后，CPU的频率不再增长，而其性能的提升主要依靠多核架构。

特征二：新的系统级技术变相延续摩尔定律
以系统级封装（SIP）为代表的功能多样化方案已经成为集成电路技术发展的新方向。这些方案主要着眼于增加系统集成的多种功能，而不是以往一直追求缩小特征尺寸和提高硅片上的晶体管密度。
特征三：新的微观技术超越摩尔定律
新原理、新材料和新器件与电路的新结构向纳米、亚纳米以及多功能化方向发展，发明和简化新的信息处理技术，以取代面临极限的CMOS器件。目前，正在探索的微观新技术有自旋电子、单电子、量子、分子和单原子器件等，以及环绕栅极场效应晶体管、量子阱FinFET和 SOI FinFET等技术。

每天一句话，送给在IC、泛IC和投资圈奋斗的你我，让我们共勉——没有人做得了你的船长，因为人生的方向得你自己决定，也没有人能替你拿起木桨，因为这桨是一人一支，谁的手都不可能空着！